DRAM 需求拉紧报,第四季合约报价有望攀涨三成

DRAM 需求拉紧报,第四季合约报价有望攀涨三成

DRAM 产业经过多年价格战厮杀,早已形成寡佔局面,各家大厂也持续严控产出,标準记忆体在供货吃紧下,合约价持续形成上扬走势,在传统电子业旺季效应、加上全球笔电需求大增下,调研机构甚至预估,第四季合约价有望直涨近三成,创下两年来新高纪录。

调研机构集邦科技旗下 DRAMeXchange 在前几个月前预估,DRAM 合约价第四季将再涨逾一成,但 DRAMeXchange 分析最新市况,在全球笔电需求出乎意料大增的情况下,预估第四季的合约价季涨幅将可能直逼三成,高于先前预估,且有望创下两年来的新高点。

从 DRAM 现货颗粒报价来看,如 DDR3/4 4Gb 价格分别来到 2.1/2.0 美元,较上月同期已各上涨 19% 与 15%,显见市场供不应求的态势持续扩大。加以第三季智慧手机新机齐发,三星、SK 海力士、美光三大厂商全力备战,而苹果 iPhone 等旗舰新机记忆体容量在今年有明显扩增,传统出货旺季供货已见吃紧,现在笔电需求大增,未来第四季将迎来更高一波涨幅。

第三季北美地区笔电需求增温,惠普与戴尔出货皆成长 8%,已看出标準型记忆体供应紧俏的状况。调研机构集邦科技旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 现在更进一步指出,笔电尤其商务新机配置 8GB 记忆体的新机迅速攀升。

需求面看涨但供给面却是应接不暇,以目前产出而言,Mobile DRAM 产出比重已扩大至整体产出 40% 以上,伺服器记忆体比重突破 20%,标準型记忆体产出排挤至不到 20% 下,标準型记忆体抢货大战已提前开打。

DRAMeXchange 研究协理吴雅婷预估,第三季 PC-OEM 客户已开始对标準型记忆体追价与追量,带动第四季还有一波更高的涨幅。不仅如此,第四季标準型记忆体需求大增,超过 DRAM 原厂的预估,使得供需失衡更加雪上加霜。

目前九月 PC-OEM 厂已积极议定第四季度的价格。吴雅婷表示,第四季 DRAM 合约价大战提前开打,主因在于标準型记忆体产能转进行动式与伺服器用记忆体的速度过快,加上部分厂商 20/21 奈米良率提升不如预期,恐难满足原先预估的需求,因此引起 PC-OEM 的恐慌而加量抢货,并亟欲提高现有库存水位来稳定自身的 DRAM 需求。

此波的抢货作战产生的连锁效应,使得伺服器用记忆体也呈现涨价,集邦科技预估,伺服器记忆体自第三季以来有约 10% 的上涨,行动式记忆体则在 NAND 产品同时缺货下,第四季 eMCP 产品至少有 10~15% 的涨幅。